Hạn chế sự liên khuếch tán giữa màng Germanium và đế silic bằng màng đa lớp Ge/Carbon ứng dụng trong lĩnh vực quang điện tử tích hợp - Lương Thị Kim Phượng (2020)
Trong nghiên cứu này, sự liên khuếch tán được khống chế bằng các màng đa lớp C/Ge với độ dày các màng Ge khoảng 18nm và các lớp carbon chỉ có độ dày khoảng bốn đơn lớp. Màng Ge được tăng trưởng trên đế Si định hướng (100) bằng kỹ thuật epitaxy chùm phân tử (MBE). Chất lượng bề mặt của màng và lớp Ge được khảo sát bằng kính hiển vi lực nguyên tử (AFM) và kính hiển vi điện tử truyền qua độ phân giải cao (HRTEM). Quá trình tăng trưởng của các đa lớp được điều khiển trực tiếp nhờ thiết bị nhiễu xạ điện tử phản xạ năng lượng cao (RHEED). Khả năng ngăn ngừa quá trình liên khuếch tán giữa Ge/Si của màng đa lớp C/Ge được kiểm tra bằng phổ khối ion thứ cấp (SIMS).