Hạn chế sự liên khuếch tán giữa màng Germanium và đế silic bằng màng đa lớp Ge/Carbon ứng dụng trong lĩnh vực quang điện tử tích hợp
Trong nghiên cứu này, sự liên khuếch tán được khống chế bằng các màng đa lớp C/Ge với độ dày các màng Ge khoảng 18nm và các lớp carbon chỉ có độ dày khoảng bốn đơn lớp. Màng Ge được tăng trưởng trên đế Si định hướng (100) bằng kỹ thuật epitaxy chùm phân tử (MBE). Chất lượng bề mặt của màng và lớp Ge...
Lưu vào:
| Tác giả chính: | |
|---|---|
| Đồng tác giả: | |
| Định dạng: | BB |
| Ngôn ngữ: | Vietnamese |
| Thông tin xuất bản: |
2020
|
| Chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | http://tailieuso.tlu.edu.vn/handle/DHTL/9180 |
| Từ khóa: |
Thêm từ khóa bạn đọc
Không có từ khóa, Hãy là người đầu tiên gắn từ khóa cho biểu ghi này!
|